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NTE-3500 (M) 热蒸发系统
热蒸发系统,在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备的设计经过非常慎重的考虑:在小的占地面积情况下实现干净、均匀、可控及可重复的工艺过程。它们具有低价格, 高性能以及高能力的特点,可满足于客户研发及
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NTE-4000 (A) 全自动热蒸发系统
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NTE-3500 (A) 全自动热蒸发系统
计算机控制的单蒸发源台式系统 NANO-MASTER NTE-3000是一款PC计算机控制的台式热蒸发系统,在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。 最大可支持6"(150mm)的晶圆片自动
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NTE-4000 (M) 热蒸发系统
计算机控制的单蒸发源台式系统 NANO-MASTER NTE-4000是一款PC计算机控制的台式热蒸发系统,在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。 最大可支持7”的方片或200mm的晶圆片
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NSC-4000 (A) 全自动磁控溅射系统
RF、DC溅射热蒸镀能力RF或DC偏压(1000V)样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗 NSC-4000(A)全自动磁控溅射系统概述:带有水冷或者加热(最高可加热到
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NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC
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NPE-4000 (A) 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NLD-4000 (A) ALD全自动原子层沉积系统
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